參數(shù)資料
型號: FDT86256
廠商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 845 毫歐 @ 1.2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 73pF @ 75V
功率 - 最大: 2.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-223-4
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: FDT86256DKR