| 型號(hào)： |
FDT434P |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
4/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
MOSFET SOT-223 Pkg
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
PowerTrench® |
| FET 型： |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門(mén)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
6A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
50 毫歐 @ 6A，4.5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
1V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
19nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
1187pF @ 10V
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| 功率 - 最大： |
1.1W
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| 安裝類(lèi)型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
TO-261-4，TO-261AA
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
SOT-223-3
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： |
1604 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱(chēng)： |
FDT434PDKR
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