參數(shù)資料
型號: FDS86140
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 11.2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.8 毫歐 @ 11.2A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2580pF @ 50V
功率 - 最大: 2.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SO
包裝: 帶卷 (TR)