參數(shù)資料
型號: FDS6911
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 1/6頁
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描述: MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8-SOIC
產(chǎn)品培訓模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品變化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
標準包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 7.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13 毫歐 @ 7.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1130pF @ 15V
功率 - 最大: 900mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDS6911DKR