參數(shù)資料
型號(hào)： FDS5690
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 7000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 236K
代理商： FDS5690
F
FDS5690 Rev. C
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 10V
3.5V
5.0V
4.5V
4.0V
6.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
10
20
30
40
50
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
V
GS
= 4.0V
6.0V
5.0V
4.5V
7.0V
10V
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
I
D
= 7A
V
GS
= 10V
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
= 3.5A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0
10
20
30
40
50
2
3
4
5
6
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS6064N3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6064N7 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6162N3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6162N7 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6294 30V N-Channel Fast Switching PowerTrench? MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDS5690_NBBM009A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
FDS5692Z 功能描述:MOSFET 50V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS60 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:FUSED DISCO SW, 3P, 60A
FDS6064N3 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6064N7 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 20V 23A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*