型號: | FDS5682_NL |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | N-Channel PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 7.5 A, 60 V, 0.021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | LEAD FREE, SO-8 |
文件頁數: | 7/12頁 |
文件大?。?/td> | 388K |
代理商: | FDS5682_NL |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FDS5690 | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDS6064N3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDS6064N7 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDS6162N3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDS6162N7 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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FDS5690 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDS5690_NBBM009A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC |
FDS5692Z | 功能描述:MOSFET 50V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDS60 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:FUSED DISCO SW, 3P, 60A |
FDS6064N3 | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |