參數(shù)資料
型號(hào)： FDP7042L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET(N溝道邏輯電平PowerTrench MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 50 A, 30 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 497K
代理商： FDP7042L
FDP7042L Rev B(W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= 50A
V
DS
= 5V
15V
10V
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0
6
12
18
24
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
DC
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 1.8
o
C/W
T
C
= 25
o
C
10ms
1ms
0
200
400
600
800
1000
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 1.8°C/W
T
C
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
R
θ
JC
(t) = r(t) + R
θ
JC
R
θ
JC
= 1.8 °C/W
T
J
- T
C
= P * R
θ
JC
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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PDF描述
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