參數(shù)資料
型號(hào)： FDP6030L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 52 A, 30 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 473K
代理商： FDP6030L
FDP6030L Rev.C
1
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 26A
V = 6.0V
24V
12V
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
800
2000
4000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
C ss
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
0.5
1
3
5
10
20
30
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
300
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V))
I
D
100μs
1ms
10ms
DC
R Lmt
DS(ON)
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 2 C/W
T = 25 °C
JC
10μs
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
0.01
0.1
1
10
100
1,000
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R = 2 °C/W
T = 25°C
JC
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
.
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
500
1000
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,TIME (ms)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 2.0 °C/W
T - T = P * R JC
P(pk)
t
1
t
2
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PDF描述
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FDP603AL 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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