參數(shù)資料
型號： FDP51N25
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V N-Channel MOSFET
中文描述： 51 A, 250 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 667K
代理商： FDP51N25
2
www.fairchildsemi.com
FDP51N25 Rev. A
F
Package Marking and Ordering Information
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
NOTES:
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 0.68mH, I
AS
= 51A, V
DD
= 50V, R
G
= 25
, Starting T
J
= 25
°
C
3. I
SD
≤
51A, di/dt
≤
200A/
μ
s, V
DD
≤
BV
DSS
, Starting T
J
= 25
°
C
4. Pulse Test: Pulse width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
5. Essentially Independent of Operating Temperature Typical Characteristics
Device Marking
Device
Package
Reel Size
Tape Width
Quantity
FDP51N25
FDP51N25
TO-220
-
-
50
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max
Units
Off Characteristics
BV
DSS
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0V, I
D
= 250
μ
A
250
--
--
V
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
I
D
= 250
μ
A, Referenced to 25
°
C
--
0.25
--
V/
°
C
Zero Gate Voltage Drain Current
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
V
DS
= 200V, T
C
= 125
°
C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
--
--
--
--
1
10
μ
A
μ
A
I
GSSF
I
GSSR
On Characteristics
Gate-Body Leakage Current, Forward
--
--
100
nA
Gate-Body Leakage Current, Reverse
--
--
-100
nA
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
3.0
--
5.0
V
Static Drain-Source
On-Resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 25.5A
--
0.048
0.060
g
FS
Dynamic Characteristics
Forward Transconductance
V
DS
= 40V, I
D
= 25.5A
(Note 4)
--
43
--
S
C
iss
C
oss
C
rss
Switching Characteristics
Input Capacitance
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
f = 1.0MHz
--
2620
3410
pF
Output Capacitance
--
530
690
pF
Reverse Transfer Capacitance
--
63
90
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Turn-On Delay Time
V
DD
= 125V, I
D
= 51A
R
G
= 25
(Note 4, 5)
--
62
135
ns
Turn-On Rise Time
--
465
940
ns
Turn-Off Delay Time
--
98
205
ns
Turn-Off Fall Time
--
130
270
ns
Total Gate Charge
V
DS
= 200V, I
D
= 51A
V
GS
= 10V
(Note 4, 5)
--
55
70
nC
Gate-Source Charge
--
16
--
nC
Gate-Drain Charge
--
27
--
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
--
--
51
A
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
204
A
Drain-Source Diode Forward Voltage
V
GS
= 0V, I
S
= 51A
V
GS
= 0V, I
S
= 51A
dI
F
/dt =100A/
μ
s
(Note 4)
--
--
1.4
V
Reverse Recovery Time
--
178
--
ns
Reverse Recovery Charge
--
4.0
--
μ
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP52N20 200V N-Channel MOSFET
FDP55N06 60V N-Channel MOSFET
FDPF55N06 60V N-Channel MOSFET
FDP5645 CONN RCPT .100 36POS GOLD T/H
FDB5645 60V N-Channel PowerTrench MOSFET(N溝道PowerTrench MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDP51N25_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
FDP52N20 功能描述:MOSFET 200V N-CHANNEL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP5500 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
FDP5500_F085 功能描述:MOSFET 55V NCHAN UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP55N06 功能描述:MOSFET SINGLE N-CH 150V ULTRAFET TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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