參數(shù)資料
型號： FDP2670
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 19 A, 200 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： FDP2670
FDP2670/FDB2670 Rev C1(W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 10A
V
DS
= 50V
100V
75V
0
500
1000
1500
2000
0
25
50
75
100
125
150
175
200
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 1.6
o
C/W
T
C
= 25
o
C
10ms
1ms
100us
10us
0
500
1000
1500
2000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 1.6°C/W
T
C
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JC
(t) = r(t) * R
θ
JC
R
θ
JC
= 1.6 °C/W
T
J
- T
C
= P * R
θ
JC
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關PDF資料
PDF描述
FDB2670 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP33N25 250V N-Channel MOSFET
FDP3651U N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM
FDP3672 N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mз
FDP3682 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36mз
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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