型號(hào): | FDP2614 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 62 A, 200 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封裝: | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 5/8頁(yè) |
文件大?。?/td> | 328K |
代理商: | FDP2614 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FDP2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDB2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDP33N25 | 250V N-Channel MOSFET |
FDP3651U | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM |
FDP3672 | N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mз |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FDP2670 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDP2670_Q | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDP26N40 | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDP2710 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDP2710_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 250V, 50A, 47m?? |