參數(shù)資料
型號(hào): FDP2614
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述: 62 A, 200 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 328K
代理商: FDP2614
5
www.fairchildsemi.com
FDP2614 Rev. A
F
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP2670 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB2670 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP33N25 250V N-Channel MOSFET
FDP3651U N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM
FDP3672 N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mз
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDP2670 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP2670_Q 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP26N40 功能描述:MOSFET 400V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP2710 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP2710_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 250V, 50A, 47m??