參數(shù)資料
型號(hào): FDP020N06B
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 5/9頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 120A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2 毫歐 @ 100A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 268nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 20930pF @ 30V
功率 - 最大: 333W
安裝類(lèi)型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220-3
包裝: 管件