型號: | FDN5630 |
廠商: | Fairchild Semiconductor |
文件頁數(shù): | 4/5頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: | High Voltage Switches for Power Processing |
產(chǎn)品變化通告: | Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mold Compound Change 08/April/2008 |
產(chǎn)品目錄繪圖: | SuperSOT-3, SOT-23 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1 |
系列: | PowerTrench® |
FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 1.7A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 100 毫歐 @ 1.7A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 3V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 400pF @ 15V |
功率 - 最大: | 460mW |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 3-SSOT |
包裝: | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
產(chǎn)品目錄頁面: | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱: | FDN5630DKR |