參數(shù)資料
型號(hào): FDMS86101
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 5/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
產(chǎn)品變化通告: Power 56 Pkg/Design Change 14/Apr/2009
產(chǎn)品目錄繪圖: Power56 Single
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12.4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8 毫歐 @ 13A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3000pF @ 50V
功率 - 最大: 2.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PQFN,Power56
供應(yīng)商設(shè)備封裝: Power56
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1608 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDMS86101DKR