參數(shù)資料
型號(hào): FDMC5614P
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 5/7頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品變化通告: Mold Compound Change 17/March/2008
產(chǎn)品目錄繪圖: 8-MLP, Power33, 56 Dual
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5.7A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫歐 @ 5.7A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1055pF @ 30V
功率 - 最大: 2.1W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerVDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-Power33(3x3)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1609 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱(chēng): FDMC5614PDKR