| 型號： | FDMB668P |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | MicroFET 3.0 x 1.9 Pkg |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 6.1A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫歐 @ 6.1A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 59nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 2085pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-MLP，MicroFET? |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-MLP，MicroFET（3x1.9） |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | FDMB668PDKR |