| 型號： |
FDMB3800N |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
5/7頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
MicroFET 3.0 x 1.9 Pkg
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| 標準包裝： |
1 |
| 系列： |
PowerTrench® |
| FET 型： |
2 個 N 溝道（雙）
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| FET 特點： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
30V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
4.8A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
40 毫歐 @ 4.8A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
3V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
5.6nC @ 5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
465pF @ 15V
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| 功率 - 最大： |
750mW
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
8-MLP，MicroFET?
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
8-MLP，MicroFET（3x1.9）
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| 包裝： |
標準包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1609 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱： |
FDMB3800NDKR
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