參數(shù)資料
型號(hào): FDMA291P
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 5/6頁(yè)
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描述: MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品目錄繪圖: MicroFET 2x2, SC-75 Single
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6.6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 42 毫歐 @ 6.6A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1000pF @ 10V
功率 - 最大: 900mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-WDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-MicroFET(2x2)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1609 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDMA291PDKR