參數(shù)資料
型號(hào): FDM3622
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 6/7頁(yè)
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描述: MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品變化通告: Mold Compound Change 17/March/2008
產(chǎn)品目錄繪圖: 8-MLP, Power33, 56 Dual
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.4A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫歐 @ 4.4A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1090pF @ 25V
功率 - 最大: 900mW
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerVDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-Power33(3x3)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1609 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱(chēng): FDM3622DKR