參數(shù)資料
型號(hào): FDI8441_F085
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 5/7頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 400
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 26A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.7 毫歐 @ 80A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 15000pF @ 25V
功率 - 最大: 300W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3(直引線)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-262AB
包裝: 管件