參數(shù)資料
型號(hào): FDI33N25TU
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 4/8頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
產(chǎn)品目錄繪圖: I-PAK, I2PAK Pkg
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: UniFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 33A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 94 毫歐 @ 16.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2135pF @ 25V
功率 - 最大: 235W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: I2PAK
包裝: 管件