參數(shù)資料
型號(hào): FDG8842CZ
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 1/8頁(yè)
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描述: MOSFET N/P-CH 30V/-25V SC70-6
產(chǎn)品變化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
產(chǎn)品目錄繪圖: MOSFET SC70-6 Pkg
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V,25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 750mA,410mA
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 400 毫歐 @ 750mA,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 120pF @ 10V
功率 - 最大: 300mW
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-70-6
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1608 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDG8842CZDKR