參數(shù)資料
型號: FDG6332C
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品變化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
產(chǎn)品目錄繪圖: MOSFET SC70-6 Pkg
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 700mA,600mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 300 毫歐 @ 700mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 113pF @ 10V
功率 - 最大: 300mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-70-6
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1608 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDG6332CDKR