參數(shù)資料
型號(hào)： FDG6301N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N-Channel, Digital FET
中文描述： 220 mA, 25 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 226K
代理商： FDG6301N
FDG6301N Rev.E1
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical Characteristics
( continued)
0
0.1
0.2
Q , GATE CHARGE (nC)
0.3
0.4
0.5
0.6
0
1
2
3
4
5
6
V
G
I = 0.22A
V = 5V
10V
0.4
0.8
2
5
10
25
40
0.01
0.03
0.1
0.3
1
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
RDSON LMT
DC
10s
100ms
10ms
V = 4.5V
SINGLE PULSE
R = 415 °C/W
T = 25°C
JA
1s
0.1
0.3
1
3
10
25
2
3
5
8
15
30
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
00
0.001
0.01
SINGLE PULSE TIME (SEC)
0.1
1
10
200
10
20
30
40
50
P
SINGLE PULSE
R =415°C/W
T = 25°C
A
JA
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
200
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , TIME (sec)
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
R (t) = r(t) * R
R =415
°C/W
JA
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
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