| 型號： | FDG312P |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6 |
| 產(chǎn)品培訓模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產(chǎn)品變化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫歐 @ 1.2A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 480mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供應商設備封裝： | SC-70-6 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 其它名稱： | FDG312PDKR |