參數(shù)資料
型號： FDG311N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 1900 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 89K
代理商： FDG311N
F
FDG311N Rev. D
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R =260 C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0
0.0001
6
12
18
24
30
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 260
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 1.9A
V
DS
= 5V
10V
15V
0
100
200
300
400
500
0
4
8
12
16
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 260
o
C/W
T
A
= 25
o
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDG312P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
FDG313N Digital FET, N-Channel
FDG314P Digital FET, P-Channel
FDG315 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDG312P 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG312P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDG313N 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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