參數(shù)資料
型號(hào)： FDFS2P102A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
中文描述： 3.3 A, 20 V, 0.125 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 145K
代理商： FDFS2P102A
FDFS2P102A Rev A1(W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -3.3A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
F
, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
,
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
1.0E-07
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
0
5
10
15
20
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
,
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
Figure 9. Schottky Diode Forward Voltage.
Figure 10. Schottky Diode Reverse Current.
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JA
= 135 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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PDF描述
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參數(shù)描述
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