參數(shù)資料
型號: FDFMA3N109
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 2/7頁
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描述: MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品目錄繪圖: MicorFET 2x2, SC-75 Dual
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 二極管(隔離式)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.9A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 123 毫歐 @ 2.9A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 220pF @ 15V
功率 - 最大: 650mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-WDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-MicroFET(2x2)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: FDFMA3N109DKR
FDFMA3N109DKR-ND
FDFMA3N109FSDKR