參數(shù)資料
型號: FDD86252
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 1/6頁
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描述: MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 52 毫歐 @ 5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 985pF @ 75V
功率 - 最大: 3.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252-3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: FDD86252DKR