參數(shù)資料
型號: FDD6N50FTF
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 6/8頁
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描述: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
產(chǎn)品目錄繪圖: DPAK, TO-252(AA)
標準包裝: 1
系列: UniFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.15 歐姆 @ 2.75A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 19.8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 960pF @ 25V
功率 - 最大: 89W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設(shè)備封裝: D-Pak
包裝: 標準包裝
其它名稱: FDD6N50FTFDKR