參數(shù)資料
型號(hào): FDD6778A
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
產(chǎn)品目錄繪圖: DPAK, TO-252(AA)
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 毫歐 @ 10A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 870pF @ 13V
功率 - 最大: 3.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D-Pak
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: FDD6778ADKR