參數(shù)資料
型號: FDD6690A
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 3/6頁
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描述: MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
產(chǎn)品培訓模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品目錄繪圖: DPAK, TO-252(AA)
標準包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫歐 @ 12A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1230pF @ 15V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設(shè)備封裝: D-Pak
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1605 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDD6690ADKR