參數(shù)資料
型號(hào): FDD5N50NZFTM
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 4/8頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V DPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
系列: UniFET-II™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.7A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.75 歐姆 @ 1.85A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 485pF @ 25V
功率 - 最大: 62.5W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252,(D-Pak)
包裝: 帶卷 (TR)
其它名稱(chēng): FDD5N50NZFTM-ND
FDD5N50NZFTMTR