參數(shù)資料
型號(hào): FDD5614P
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 3/6頁(yè)
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描述: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品目錄繪圖: DPAK, TO-252(AA)
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 15A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫歐 @ 4.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 759pF @ 30V
功率 - 最大: 1.6W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱(chēng): FDD5614PDKR