| 型號(hào)： | FDC658AP |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH SGL LL 30V 4A SSOT6 |
| 產(chǎn)品變化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 4A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫歐 @ 4A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 8.1nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 470pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 6-SOT |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | FDC658APDKR |