參數(shù)資料
型號(hào): FDC645N_F095
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 1/5頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-SSOT
產(chǎn)品變化通告: Mold Compound Change 08/April/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5.5A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 26 毫歐 @ 6.2A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1460pF @ 15V
功率 - 最大: 800mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-SSOT
包裝: 帶卷 (TR)