| 型號： | FDC638P |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產(chǎn)品變化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 48 毫歐 @ 4.5A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1160pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 6-SSOT |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | FDC638PDKR |