| 型號： |
FDC637BNZ |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
5/6頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT |
| 產(chǎn)品變化通告： |
Mold Compound Change 08/April/2008
|
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
MOSFET SuperSOT-6
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
PowerTrench® |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點： |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
20V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
6.2A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
24 毫歐 @ 6.2A，4.5V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
1.5V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
12nC @ 4.5V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
895pF @ 10V
|
| 功率 - 最大： |
800mW
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
6-SSOT
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1602 (CN2011-ZH PDF)
|
| 其它名稱： |
FDC637BNZDKR
|