參數(shù)資料
型號(hào): FDC634P
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
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描述: MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品變化通告: Design/Process Change 11/May/2007
Mold Compound Change 08/April/2008
產(chǎn)品目錄繪圖: MOSFET SuperSOT-6
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.5A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫歐 @ 3.5A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 779pF @ 10V
功率 - 最大: 800mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-SSOT
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDC634PDKR