型號(hào): | FDC634P |
廠商: | Fairchild Semiconductor |
文件頁(yè)數(shù): | 4/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6 |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: | High Voltage Switches for Power Processing |
產(chǎn)品變化通告: | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
產(chǎn)品目錄繪圖: | MOSFET SuperSOT-6 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1 |
系列: | PowerTrench® |
FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 3.5A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 80 毫歐 @ 3.5A,4.5V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 1.5V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 10nC @ 4.5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 779pF @ 10V |
功率 - 最大: | 800mW |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 6-SSOT |
包裝: | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱: | FDC634PDKR |