參數(shù)資料
型號: FDC6333C
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH/P-CHAN 30V SSOT6
產(chǎn)品培訓模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品變化通告: Mold Compound Change 08/April/2008
產(chǎn)品目錄繪圖: MOSFET SuperSOT-6
標準包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.5A,2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 95 毫歐 @ 2.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 282pF @ 15V
功率 - 最大: 700mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝: 6-SSOT
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDC6333CDKR