參數(shù)資料
型號: FDC6327C
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 1/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH DUAL 20V SSOT-6
產(chǎn)品培訓模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品變化通告: Mold Compound Change 08/April/2008
產(chǎn)品目錄繪圖: MOSFET SuperSOT-6
標準包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.7A,1.9A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫歐 @ 2.7A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 325pF @ 10V
功率 - 最大: 700mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-SSOT
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDC6327CDKR