參數(shù)資料
型號(hào)： FDB8832
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 2.1mOHM
中文描述： 34 A, 30 V, 0.0022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大小： 298K
代理商： FDB8832
F
FDB8832 Re
v. A
www.fairchildsemi.com
4
Typical Characteristics
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
P
T
C
, CASE TEMPERATURE
(
o
C
)
Figure 2.
25
50
75
100
125
150
175
0
50
100
150
200
250
300
350
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE
(
o
C
)
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
CURRENT LIMITED
BY PACKAGE
Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3.
10
-5
10
-4
10
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
SINGLE PULSE
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
N
I
θ
J
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
Figure 4. Peak Current Capability
10
-5
10
-4
10
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
100
1000
10000
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
I
D
,
P
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDB8860 N-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 80A, 2.6mOhm
FDB8870 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 160A, 3.9mW
FDB8874 N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDB8832_F085 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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