參數(shù)資料
型號(hào)： FDB6644S
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 477K
代理商： FDB6644S
FDP6644S/FDB6644S Rev
D
(W)
Typical Characteristics
(continued)
SyncFET Schottky Body Diode
Characteristics
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode
in parallel with PowerTrench MOSFET. This diode
exhibits similar characteristics to a discrete external
Schottky diode in parallel with a MOSFET. Figure 12
FDP6644S.
Figure 12. FDP6644S SyncFET body diode
reverse recovery characteristic.
For comparison purposes, Figure 13 shows the reverse
recovery characteristics of the body diode of an
equivalent size MOSFET produced without SyncFET
(FDP6644).
Figure 13. Non-SyncFET (FDP6644) body
diode reverse recovery characteristic.
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at
high temperature and high reverse voltage. This will
increase the power in the device.
Figure 14. SyncFET diode reverse leakage
versus drain-source voltage and
temperature.
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0
10
20
30
V
DS
, REVERSE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 100
o
C
T
A
= 25
o
C
F
C
Time: 12.5ns/div
C
Time: 12.5ns/div
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PDF描述
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參數(shù)描述
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