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參數(shù)資料
| 型號： | FDB5800 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 80 A, 60 V, 0.0126 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 249K |
| 代理商： | FDB5800 |
September 2005
F
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB5800 Rev. A
www.fairchildsemi.com
1
FDB5800
N-Channel Logic Level PowerTrench
MOSFET
60V, 80A, 7m
Features
r
DS(ON)
= 5.5m
(Typ.), V
GS
= 5V, I
D
= 80A
High performance trench technology for extermely low
Rdson
Low Gate Charge
High power and current handling capability
Qualified to AEC Q101
RoHS Compliant
Applications
Motor/ Body Load Control
ABS Systems
Power Train Management
Injection Systems
DC-DC Converters and Off-Line UPS
D
G
S
TO-263AB
FDB SERIES
GATE
SOURCE
DRAIN
(FLANGE)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB6021P | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP6021P | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB6030 | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDP6030 | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDP6030BL | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDB5800_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB600 | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB601 | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB602 | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB6021P | 功能描述:MOSFET P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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