參數(shù)資料
型號： FDB5645
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60V N-Channel PowerTrench MOSFET(N溝道PowerTrench MOS場效應管)
中文描述： 83 A, 60 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 422K
代理商： FDB5645
TO-263AB/D
2
PAK (FS PKG Code 45)
TO-263AB/D
2
PAK Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
August 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 1.4378
相關PDF資料
PDF描述
FDP5800 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP5N50 N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4ヘ
FDPF5N50 N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4ヘ
FDP6030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDP61N20 200V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FDB5686 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDB5690 功能描述:MOSFET 60V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB5800 功能描述:MOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB5800_F085 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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