參數(shù)資料
型號： FDB2572
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз
中文描述： 4 A, 150 V, 0.054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大小： 269K
代理商： FDB2572
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB2572 / FDP2572 Rev. B
F
SPICE Thermal Model
REV 26 April 2002
FDB2572
CTHERM1 TH 6 3.8e-3
CTHERM2 6 5 4.0e-3
CTHERM3 5 4 4.2e-3
CTHERM4 4 3 4.3e-3
CTHERM5 3 2 8.5e-3
CTHERM6 2 TL 3.0e-2
RTHERM1 TH 6 5.5e-4
RTHERM2 6 5 5.0e-3
RTHERM3 5 4 4.5e-2
RTHERM4 4 3 10.5e-2
RTHERM5 3 2 3.7e-1
RTHERM6 2 TL 3.8e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDB2572
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =3.8e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =4.0e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =4.2e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =4.3e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =8.5e-3
ctherm.ctherm6 2 tl =3.0e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =5.5e-4
rtherm.rtherm2 6 5 =5.0e-3
rtherm.rtherm3 5 4 =4.5e-2
rtherm.rtherm4 4 3 =10.5e-2
rtherm.rtherm5 3 2 =3.7e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =3.8e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP2614 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP2670 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB2670 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP33N25 250V N-Channel MOSFET
FDP3651U N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDB2572_Q 功能描述:MOSFET N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB-25P 制造商:Hirose 功能描述:
FDB-25P(05) 制造商:Hirose 功能描述:
FDB-25P0L2TI/1 制造商:Cinch Connectors 功能描述:25 way straight PCB filtered D plug,5A
FDB25P-1064MTX 制造商:SOURIAU 功能描述:
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