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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDA20N50_07 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 500V N溝道MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 324K |
| 代理商： | FDA20N50_07 |
3
www.fairchildsemi.com
FDA20N50 Rev. B
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
* Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
12
10
0
10
1
10
2
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
* Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
0
10
1
150
o
C
*Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
o
C
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
15
30
45
60
75
90
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
* Note : T
J
= 25
o
C
R
D
Ω
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
V
DS
= 100V
* Note : I
D
= 20A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
* Note :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDA2712 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 250V, 64A, 34mヘ |
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| FDH50N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA59N25 | 250V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| FDA210E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
| FDA210ES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
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