型號: | FD800R17KF6CB2V |
英文描述: | IGBT Module |
中文描述: | IGBT模塊 |
文件頁數: | 7/8頁 |
文件大?。?/td> | 131K |
代理商: | FD800R17KF6CB2V |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FD915 | Interface IC |
FD96SMH-1 | Analog Miscellaneous |
FD97SMH-1 | Analog Miscellaneous |
FDA200ES | PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
FDA200S | PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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FD800R33KF2 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
FD800R33KF2C | 功能描述:IGBT 模塊 3300V 800A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FD800R33KF2C-K | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FD800R33KL2C-K_B5 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FD807-03 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |