參數(shù)資料
型號： FD600R12KF4V2
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 254K
代理商： FD600R12KF4V2
Technische Information / Technical Information
FD 600 R 17 KF6C B2
IGBT-Module
IGBT-Modules
I
C
V
CE
[V]
I
C
V
CE
[V]
0
200
400
600
800
1000
1200
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Ausgangskennlinie (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic (typical)
V
GE
= 15V
0
200
400
600
800
1000
1200
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
vGE = 20V
vGE = 15V
vGE = 12V
vGE = 10V
vGE = 9V
vGE = 8V
Ausgangskennlinienfeld (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic (typical)
T
vj
= 125°C
4(8)
FD600R17KF6CB2.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FD600R16KF4 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C)
FD6R16K4 IGBT Module
FD700.TR
FD700 Ultra Fast Diodes
FD800R17KF6CB2V IGBT Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FD600R16KF4 功能描述:IGBT 模塊 1600V 600A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD600R17KE3_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 950A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD600R17KE3-K_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 950A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD600R17KF4C 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 650A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD600R17KF6B2 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
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