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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FD400C2V |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | RELAIS HERMETIQUE 2 RT DOUBLE COUPURE 10 A/56 Vcc |
| 中文描述： | 繼電器HERMETIQUE 2逆轉(zhuǎn)錄雙重間斷期10 A/56嚇 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 110K |
| 代理商： | FD400C2V |
Technische Information / Technical Information
FD 400 R 33 KF2
IGBT-Module
IGBT-Modules
Datenblatt
data sheet
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
Transistor / transistor, DC
R
thJC
-
-
0,026
K/W
thermal resistance, junction to case
Diode/Diode, DC, Zweig / arm 1
Diode/Diode, DC, Zweig / arm 2
-
-
-
-
0,051
0,051
K/W
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1 W/m*K /
λ
grease
= 1 W/m*K
R
thCK
-
0,006
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
AlSiC
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Kriechstrecke
creepage distance
32,2
mm
Luftstrecke
clearance
19,1
mm
CTI
comperative tracking index
> 400
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
M1
5
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M4
M2
2
Nm
terminals M8
8 .. 10
Nm
Gewicht
weight
G
1000
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3 (9)
Datenblatt FD 400 R 33 KF2
04.10.99
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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